摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
1.1 几种主要的钝化工艺进展
1.1.1 热生长二氧化硅
1.1.2 LPCVD 法淀积多晶硅
1.1.3 磷硅玻璃(PSG)钝化
1.1.4 氮化硅(Si_3N_4)钝化
1.1.5 SIPOS 钝化
1.2 本论文的选题和研究内容
第二章 钝化机理及其对器件参数的影响
2.1 半绝缘多晶硅钝化机理及工艺
2.2 钝化工艺对器件参数的影响
2.2.1 SIPOS+TEOS 钝化工艺
2.2.2 SiO_xN_y 钝化工艺
第三章 利用MEDICI 软件仿真
3.1 MEDICI 的功能简介
3.2 MEDICI 的一些特性
3.3 MEDICI 仿真程序
3.4 仿真结果
第四章 钝化工艺优化
4.1 工艺流程介绍
4.1.1 钝化层生长系统
4.1.2 光刻
4.1.3 刻蚀和去胶
4.2 改变钝化层结构试验
4.2.1 试验方案的设计和实施
4.2.2 试验数据分析
4.3 改变钝化层纵向组合试验
4.3.1 试验方案的设计和实施
4.3.2 试验数据分析
4.4 试验情况总结
第五章 结论和展望
5.1 本论文研究总结
5.2 下一步工作展望
致谢
参考文献