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韩兆芳; 黄峥嵘;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
江苏无锡214035;
钝化层; 双极器件; HFE; 高压蒸汽;
机译:质子与He2 +之间的相对漂移速度对等离子体耗尽层中电磁谱特征的影响%质子与He2 +之间的相对漂移速度对等离子体耗尽层中电磁谱特征的影响
机译:基于DEIS电化学参数的差异分析,应变速率对304L不锈钢在氯化物溶液中钝化层开裂的影响。
机译:通过使用GeO _xN_y钝化层的锗基金属氧化物半导体器件的原子层沉积法生长的TiO_2 / HfO_2双层栅堆叠
机译:金属间介电层和HDP钝化层对器件性能的影响
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:器件设计对Si / SiO2单电子器件中电荷偏移漂移的影响
机译:采用GeOxNy钝化层的锗基金属氧化物半导体器件原子层沉积生长的TiO2 / HfO2双层栅堆叠
机译:少数载流子器件包括钝化层,该钝化层包括第13族元素和硫族化物成分
机译:通过在电路元件上形成钝化层,对钝化层进行构图,形成光敏层和光致抗蚀剂层并去除光致抗蚀剂层和光敏层的曝光区域来制造半导体器件
机译:半导体器件具有漂移区和漂移控制区,漂移区和漂移控制区布置成与漂移区相邻,并且由与漂移区相对的介电层介电隔离
机译:使用晶锭生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法,以及由碳化硅漂移层形成的功率半导体器件
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