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机译:垂直热壁CVD中基于氯化物的4H-SiC膜的快速同质外延生长
4H-SiC epilayer; chemical vapor deposition; homoepitaxial growth; growth rate;
机译:垂直热壁CVD中基于氯化物的4H-SiC膜的快速同质外延生长
机译:通过垂直LPCVD在4H-SiC上以高生长速率生长的高质量同质外延层
机译:垂直热壁化学气相沉积中C / Si比对4H-SIC(0001)快速外延生长的影响
机译:氯化物基CVD法在同轴Si面衬底上4H-SiC的同质外延生长
机译:通过热壁化学气相沉积法生长的同质外延4H-碳化硅(1120)薄膜的界面上的多型稳定性,微观结构演变和杂质
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:使用BTmsm通过热壁CVD同步生长4H-siC