机译:ZnO沟道厚度对带有Al2O3和铁电聚合物双层栅极绝缘体的非易失性存储薄膜晶体管器件性能的影响
机译:ZnO沟道厚度对带有Al2O3和铁电聚合物双层栅极绝缘体的非易失性存储薄膜晶体管器件性能的影响
机译:基于未掺杂和掺有Hf和NaF的ZnO薄膜晶体管的非易失性存储器件,在ZnO和栅极绝缘体之间插入了Ag纳米线
机译:溶液-铟锌-硅-氧化硅有源沟道和有机铁电栅绝缘体组成的混合栅叠层薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:具有聚合物铁电和薄缓冲层的ZnO基薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:以相变薄膜材料为栅绝缘体的新型单元件存储晶体管
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:基于未掺杂和HF和NAF掺杂的ZnO薄膜晶体管的非易失性存储器,其中AG纳米线插入ZnO和栅极绝缘体界面之间