机译:溶液-铟锌-硅-氧化硅有源沟道和有机铁电栅绝缘体组成的混合栅叠层薄膜晶体管的非易失性存储特性
Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi-do 446-701, South Korea|c|;
机译:具有成分修饰的In-Zn-Ti-0有源沟道和铁电共聚物栅极绝缘体的固溶处理薄膜晶体管的非易失性存储器性能改进
机译:使用有机铁电栅极绝缘体和氧化物半导体沟道的非易失性存储薄膜晶体管
机译:具有聚合物铁电栅极绝缘体的固溶处理的氧化锌铟透明非易失性存储薄膜晶体管
机译:具有不同栅极绝缘体的溶液处理顶栅有机薄膜晶体管中的电荷传输
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器