机译:负193 nm DUV抗蚀剂对45 nm节点的评估:光刻,蚀刻和植入过程中的降解动力学
negative 193 nm resist; oxide etch resistance; 193 nm interferometric lithography; thin film implant;
机译:负193 nm DUV抗蚀剂对45 nm节点的评估:光刻,蚀刻和植入过程中的降解动力学
机译:用193nm浸没式光刻成像干涉光刻和偶极子照明对45nm半节距节点进行仿真
机译:基于酸催化缩醛化的环保负性抗蚀剂,用于193 nm光刻
机译:45 nm节点注入层及以后的ArF抗蚀剂的光刻后特性
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:193 nm紫外光解离质谱用于正离子和负离子模式下的磷酸肽表征
机译:基于高耐蚀刻聚合物的193-nm光刻化学放大抗蚀剂。
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化