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陈明; 陈其道; 洪啸吟;
清华大学化学系,北京,100084;
193-nm; 化学增幅抗蚀剂; 光刻; 光敏产酸物;
机译:CMR Technology手表:193-nm和157-nm光刻胶
机译:IMEC / 193-NM光刻术已达到物理极限
机译:基于CVD的光致抗蚀剂193-nm光刻工艺的进展
机译:打印型干膜光致抗蚀剂光刻
机译:芳基环氧热固性树脂的光刻性能作为微光学的阴性光致抗蚀剂
机译:粘附促进的193-nm光致抗蚀剂的共聚物,在光刻过程中没有交联。
机译:193-Nm光刻的全干抗蚀剂工艺
机译:适于作为酸产生剂的盐,适用于ARF准分子激光光刻,KRF准分子激光光刻,EUV,乳化光刻和电子束光刻的光致抗蚀剂组合物,以及光致抗蚀剂的制造方法
机译:-193--用于193-NM光刻的双层光敏显影性底部可溶反光涂层制造微电子结构的方法
机译:包含193-NM光刻技术和层堆叠的双层光敏显影剂底部可溶反反射涂层的微电子结构的形成方法
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