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Peter Singer;
机译:光刻胶,CMP浆料,Low-k材料的开发及其问题45nm节点及以后的材料开发
机译:Marangoni干燥机集成的高性能清洁剂,用于45nm工艺节点及以后的Cu / Low k柱后剥离清洗
机译:通过CO2低温预处理然后湿法清洗去除离子注入的光刻胶
机译:光刻胶在显影过程中对45nm及以下节点的临界尺寸性能的影响
机译:在半导体工艺中氧化去除注入的光刻胶和势垒金属
机译:去除根管充填材料的清洗剂和橙油溶剂的清洗能力。
机译:用于22 nm互连的光刻胶去除和蚀刻后残留物去除的挑战和新颖方法
机译:Lapps中的光刻胶去除
机译:清洗剂组合物和光刻胶图案的清洗方式对去除光刻胶聚合物无效
机译:使用干式或浸没式光刻技术和取消Poizoningu光刻胶,使用45nm huichiyasaizu破坏光致抗蚀剂材料
机译:用于半导体器件制造工艺的清洗液,并使用该清洗液去除光刻胶和聚合物
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