机译:具有非易失性存储器应用的TiN-Hafnia-氮化物-真空硅(THNVAS)结构的新型多晶硅场增强纳米线薄膜晶体管
Field-Enhanced Nanowire (FEN); High-k; Nonvolatile Memory; System-on-Panel (SOP); Poly-Si Thin-Film Transistor (Poly-Si TFT);
机译:具有非易失性存储器应用的TiN-Hafnia-氮化物-真空硅(THNVAS)结构的新型多晶硅场增强纳米线薄膜晶体管
机译:准分子激光辐照结晶的高性能底部栅极多晶硅多晶硅-氮化物-氮化物-氧化硅-硅薄膜晶体管,用于两位非易失性存储应用
机译:使用氧化物半导体薄膜晶体管的电荷陷阱辅助柔性非易失性存储应用
机译:通过原子层沉积形成ZnO纳米颗粒的非易失性存储器薄膜晶体管应用
机译:适用于玻璃上系统大面积微电子应用的新型低温多晶硅薄膜晶体管。
机译:氧化石墨烯作为介电和电荷陷阱元素并五苯的有机薄膜晶体管在非易失性存储器中的应用
机译:用于非易失性存储应用的Pi形栅极多晶硅薄膜晶体管