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刘百勇;
中国电子学会;
硅;
机译:使用俄歇电子能谱和斜角结构的扩展电阻曲线表征应变硅量子阱和Si_(1-x)Ge_x异质结构
机译:具有折叠硅和高介电常数突破硅极限的新型横向双扩散MOSFET
机译:对“具有选择性成核的横向结晶的Pb(Zr,Ti)O 3 sub>和ZrTiO 4 sub>缓冲液的新型金属-铁电绝缘体-硅FET的校正,该缓冲液可长期保持并具有良好的疲劳性” [10月15日DOI:10.1109 / LED.2015.2472987]
机译:基于绝缘体上超薄硅的圆形扩展电阻温度传感器的少数载流子排除模型
机译:具有用于滤波器和温度传感器应用的嵌入式加热器的CMOS-MEMS新型谐振器的设计,制造和表征。
机译:基于多晶硅电阻的时域CMOS温度传感器具有9b SAR和精细延迟线
机译:扫描扩展电阻显微镜表征高级硅器件
机译:具有直接频率输出的新型微结构硅加速度计的有限元建模与仿真
机译:温度传感器,特别是用于空气质量传感器-使用Seebeck和电阻温度在单晶硅框架中的膜上具有单晶硅@结构。效果
机译:一种具有新型结构元件设计的模型飞行器,用于支撑表面,稳定器以及与舵相对应的横向,横向和横向。
机译:半导体温度传感器采用扩展电阻原理,在半导体层表面设有2个相对隔开的电极
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