首页> 中文期刊>上海电机学院学报 >硅纳米线和硅纳米孔结构多晶硅太阳能电池性能比较

硅纳米线和硅纳米孔结构多晶硅太阳能电池性能比较

     

摘要

通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法在多晶硅硅片上制备了硅纳米线和硅纳米孔结构,并详细比较了硅纳米线和硅纳米孔多晶硅硅片在反射、内量子效率、磷浓度分布以及电池性能等情况.研究表明,硅纳米孔结构多晶硅太阳能电池开路电压为0.622 1 V,短路电流为8.51A,填充因子为79.55%,电池效率为17.30%,与硅纳米线结构多晶硅太阳能电池相比,其效率高出0.25%.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号