一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法

摘要

本发明公开了一种抑制多晶硅针孔的PBL工艺方法，它与现有的PBL工艺方法的主要区别是，取消现有工艺方法中的原第10步骤湿法表面二氧化硅去除，将原第11步骤的等离子体多晶硅刻蚀改为两步刻蚀工艺，首先采用低选择比的干法等离子体刻蚀条件去除多晶硅表面二氧化硅，然后再采用高选择比的干法等离子体刻蚀条件回刻多晶硅。本发明可以有效避免多晶硅回刻时造成硅表面的缺陷，保证超快闪存储器/嵌入式超快闪存储器的性能。