机译:在Si(111)衬底上外延生长GaN膜的研究
Single crystalline gan; Intermediate layer;
机译:在Si(111)衬底上外延生长GaN膜的研究
机译:Si(111)基底上的质量增强GaN外延薄膜在三维GaN模板上沉积SIN
机译:在具有SrTiO_3 / TiN缓冲层的(0002)GaN衬底上外延生长(111)BaTiO_3薄膜
机译:在ZnO缓冲的Si(111)衬底上高c轴取向的InGaN / GaN薄膜的外延MOVPE生长
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:简单Sol-Gel法在SrTiO3(111)衬底上正交生长GaFeO3薄膜的外延生长
机译:6H-SiC(0001)和Si(111)衬底上GaN和Algan合金薄膜的pendeo-Xizaial生长和表征。
机译:bcc过渡金属薄膜和超晶格在mgO(111),(011)和(001)衬底上的外延生长