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机译:Cu和SiO2之间离子化金属等离子体沉积Ta扩散阻挡层的行为
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机译:研究离子化金属等离子体(IMP)沉积的TaN在Cu和SiO_2之间的扩散阻挡特性
机译:Al-0.5 / 100Cu / Ti / SiO_2 / Si结构中离子化金属等离子体沉积Ti的高密度扩散势垒
机译:IMP(电离金属)-Cu和CVD(化学气相沉积)-Cu对SiO_2上IMP-TaN扩散阻挡性能的比较分析和研究
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:水分对Cu离子在Cu / Ta2O5 / Pt和Cu / SiO2 / Pt电阻开关中扩散的影响:第一性原理研究
机译:薄V插入层对TA膜对Cu金属化TA扩散屏障性能的影响