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唐昭焕; 梁涛; 刘勇; 谭开洲; 王飞;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
重庆400060;
模拟集成电路国家级重点实验室;
半导体工艺; TiW; 扩散阻挡层; AlCu/TiW/Si系统; PNP晶体管; Cu/Cu2+;
机译:非晶态RuMoC合金薄膜作为无籽扩散阻挡层用于Cu / p-SiOC:H超低k介电集成的研究
机译:Cu / Sn / Cu 3D互连键合结构化学镀Ni(P)扩散阻挡层的击穿机理研究
机译:Cu(Ti)合金薄膜自组装扩散阻挡层生长的初始Ti浓度依赖性
机译:通过CVD法在Ni / Cu合金上合成石墨烯并利用石墨烯作为热电器件的扩散阻挡层的生长机理。
机译:Cu / Ru / MgO / Ta / Si中扩散阻挡层的结构稳定性
机译:TiW(N)作为Cu和si之间的扩散阻挡层
机译:Ir-Zr合金作为Cu和si之间的扩散阻挡层(100)
机译:具有阻挡层作为构成层的薄膜晶体管和用于溅射形成阻挡层的Cu合金溅射靶
机译:使用阻挡层作为结构层的薄膜晶体管,以及用于阻挡层的溅射沉积的Cu合金溅射靶
机译:用于CU金属化的MOCVD氮化钼扩散阻挡层
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