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机译:H〜+离子注入硅并退火后形成的氢分子和硅空洞的板状沉淀物的自由吉布斯能的测定
hydrogen implantation; platelets; nucleation theory; Gibbs energy;
机译:H〜+离子注入硅并退火后形成的氢分子和硅空洞的板状沉淀物的自由吉布斯能的测定
机译:硅中空隙 - 氢相关络合物的相关退火与形成
机译:非晶态能量对离子注入硅超高温退火后超浅结形成的影响
机译:在H +离子注入后形成的氢分子沉淀物的自由Gibbs能量的测定硅和退火后形成的氢分子和硅空位
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:硅纳米线中植入和退火的砷原子的离散分布及其对器件性能的影响
机译:硅中空隙 - 氢相关络合物的相关退火与形成