...
机译:HdCdTe p-n二极管结的钝化通过在Cd / Hg气氛中退火形成的成分渐变HgCdTe
机译:HdCdTe p-n二极管结的钝化通过在Cd / Hg气氛中退火形成的成分渐变HgCdTe
机译:HgCdTe光电二极管钝化的成分分级界面
机译:HgCdTe中反应性离子刻蚀形成的n-p结上的钝化效应
机译:基于HgCdTe异质结中形成的n〜+ -p和p-n结的MWIR和LWIR光电二极管的仿真
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:HgCdTe外延层的磁导率和太赫兹响应
机译:基于杂交外延HGCDTE MBE具有非均匀分布的杂结构的电物理和光电特性
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。