首页> 外文OA文献 >ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION

【2h】

ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION

机译：基于杂交外延HGCDTE MBE具有非均匀分布的杂结构的电物理和光电特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
A. V. Voitsekhovskii; S. N. Nesmelov; S. M. Dzyadukh;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Electrophysical and Photoelectrical Properties of MIS Structures Based on MBE Grown Heteroepitaxial HgCdTe MIS Structures with Inhomogeneous Composition Distribution [J] . A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadookh Russian Microelectronics . 2014,第8期

机译：基于MBE生长非均相组成分布的异质外延HgCdTe MIS结构的MIS结构的电物理和光电性能。
2. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristicsof MIS-structures based on MBE grown HgCdTe [J] . A.V. VOITSEKHOVSKII, S.N. NESMELOV, S.M. DZYADUKH, Opto-electronics review . 2010,第3期

机译：基于MBE生长的HgCdTe的近表面梯度隙层对MIS结构电学特性的影响
3. Capacitance-voltage characteristics of MIS-structures on the basisof graded-band MBE Hg_(1-x)Cd_xTe at passivation by epitaxially grownin situ CdTe [J] . A.V. VOITSEKHOVSKII, S.N. NESMELOV, S.M. DZYADUKH, Opto-electronics review . 2010,第3期

机译：外延原位生长CdTe钝化时基于梯度带MBE Hg _（1-x）CdTe的MIS结构的电容-电压特性
4. PHOTOELECTRIC CHARACTERISTICS OF INHOMOGENEOUS MIS-STRUCTURES IN BASE OF Si, HgCdTe [C] . A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, N. A. Koulchitskii Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics . 2001

机译：Si，HgCdTe基体中非均质MIS结构的光电特性
5. MBE growth and characteristics of antimonide-based quantum dots. [D] . Wang, Xue. 2006

机译：MBE生长和基于锑的量子点的特性。
6. Chemical compositions of Magellanic Clouds HII regions based on photoelectric spectrophotometry [O] . L. H. Aller, S. J. Czyzak, C. D. Keyes 1977

机译：光电分光光度法测定麦哲伦星云HII区的化学成分
7. Thermoelectric properties of MBE-grown HgCdTe-based superlattices from 100K to 300K [O] . Kejia Zhang, Abhishek Yadav, Lei Shao, 2016

机译：从100K到300K的基于MBE-种植的HGCDTE的超晶格的热电性能

ELECTRO-PHYSICAL AND PHOTOELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MIS-STRUCTURES BASED ON HETERO-EPITAXIAL HGCDTE MBE WITH NON-UNIFORM DISTRIBUTION OF COMPOSITION

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅