机译:金属有机化学气相沉积高生长速率的GaN外延层的性能
GaN; metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); growth rate; mobility; photoluminescence; V/III ratio;
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机译:Al掺杂对Al_(2)O_(3)衬底上有机金属化学气相沉积生长外延GaN薄膜的晶格应变和电性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积法生长的GaN和AIGaN外延层的P型和N型掺杂
机译:金属有机化学气相沉积在(100)和(111)GaAs上的立方GaN的外延生长和结构,光学性质
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:金属有机化学气相沉积外延生长的锗纳米柱太阳能电池
机译:GaN缓冲层厚度对通过金属有机化学气相沉积法生长的AlN / GaN分布布拉格反射器性能的影响
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章