机译:p型金刚石肖特基势垒二极管的边缘端接技术
Diamond; Schottky barrier diode; Edge termination; Field plate;
机译:p型金刚石肖特基势垒二极管的边缘端接技术
机译:使用硼植入边缘终端的钻石肖特基势垒二极管的击穿增强
机译:DLTS分析高电阻边缘终止技术在GaN基肖特基势垒二极管中引起的缺陷
机译:P型SiC上的高压肖特基势垒二极管,使用厚氧化物层上的金属重叠作为边缘端接
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:200 mm硅衬底上具有门控端接的无金横向AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的性能优化