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机译:DLTS分析高电阻边缘终止技术在GaN基肖特基势垒二极管中引起的缺陷
Laboratoire GREMAN, Universite de Tours, 16 rue Pierre et Marie Curie, 37100 Tours, France;
Laboratoire GREMAN, Universite de Tours, 16 rue Pierre et Marie Curie, 37100 Tours, France;
STMicroelectronics, 10, rue Thales de Milet CS 97155, 37071 Tours cedex 2, France;
STMicroelectronics, 10, rue Thales de Milet CS 97155, 37071 Tours cedex 2, France;
Laboratoire GREMAN, Universite de Tours, 16 rue Pierre et Marie Curie, 37100 Tours, France;
deep level transient spectroscopy; edge terminations; GaN; Schottky barrier diodes;
机译:一个无边缘终端的1100+ V AlGaN / GaN基平面肖特基势垒二极管
机译:通过硼注入形成具有高电阻率边缘端接的GaN肖特基势垒二极管
机译:带有栅边缘终端的高K钝化AlGaN / GaN肖特基势垒二极管反向阻断增强的数值分析
机译:AlGaN势垒凹槽对带有栅极边缘终端的AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的直流特性和动态特性的影响
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:200 mm硅衬底上具有门控端接的无金横向AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的性能优化