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机译:GaAs衬底上具有InAs / InGaAsN量子点的异质结构在1.55μm的室温下进行光致发光
机译:GaAs衬底上具有InAs / InGaAsN量子点的异质结构在1.55μm的室温下进行光致发光
机译:InAs-GaAs和InAs-InGaAs-GaAs量子点异质结构的温度相关调制反射率和光致发光
机译:通过分子束外延生长以1.55μm发射的InAs / InGaAsN量子点
机译:通过分子束外延生长以1.55微米发射的InAs / InGaAsN量子点
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:Inas-Gaas和Inas-InGaas-Gaas量子点异质结构的温度依赖性调制反射率和光致发光
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。