利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3μm光致发光

刘宁; 金鹏; 吴巨; 王占国

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在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的发光峰位红移180nm,实现了1.3μm发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料发光的显著红移是由于量子点层间应力耦合导致的上层量子点体积增大以及各量子点层间的能态耦合.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|215-217|共3页
作者
刘宁; 金鹏; 吴巨; 王占国;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

半导体材料科学重点实验室;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

半导体材料科学重点实验室;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

半导体材料科学重点实验室;

北京;

100083 中国科学院半导体研究所;

半导体材料科学重点实验室;

北京;

100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
量子点; 分子束外延; 垂直堆垛; 长波长发光;

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