掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Annual Device Research Conference
Annual Device Research Conference
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Avalanche Electron Emitter Arrays Using Si Ultra-Shallow P-N Junctions
机译:
雪崩电子发射器阵列使用SI超浅P-N连接点
作者:
Ea J.Y.
;
Yicheng Lu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
2.
Znse/gaas Heterostructure Bipolar Transistors: Design and Operation of a New II-VI/III-V Device Structure
机译:
ZnSe / Gaas异质结构双极晶体管:新型II-VI / III-V器件结构的设计和操作
作者:
Glaeser A.
;
Nahory R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
3.
Optical Confinement Factor Dependence of K-factor, Differential Gain and Nonlinear Gain in 1.55/spl mu/m Mqw and Strained Mqw Lasers
机译:
基因子,差分增益和非线性增益在1.55 / SPL MU / M MQW和应变MQW激光器中的光学限制因子依赖性
作者:
Shimizu J.
;
Yamada H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
4.
Molecular Beam Epitaxy Grown PbSnTe Buried Quantum Well Diode Lasers with PbEuSeTe Confinement Layers
机译:
分子束外延生长的PBSNTE掩埋量子阱二极管激光器与PbeUsete限制层
作者:
Feit Z.
;
Kostyk D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
5.
Thermal Re-Emission of Trapped Hot Electrons in NMOS Transistors
机译:
NMOS晶体管中被困热电子的热再排放
作者:
Or S.S.B.
;
Forbes L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
6.
A New Method to Enhance Mobility of Poly-Si Tft Recrystallized by Excimer Laser Annealing
机译:
一种新方法,以提高促进电激激回火重结晶多Si TFT的移动性
作者:
Kuriyama H.
;
Kiyama S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
7.
Current Gain - Early Voltage Products In Graded Base Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x/Si Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
渐变基底Si / Si / Sub 1-X / Ge / Sub X / Si异质结双极晶体管中的电流增益早期电压产品
作者:
Prinz E.J.
;
Sturm J.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
8.
Low Series Resistance Continuously-graded-mirror Multiple Quantum Well Vertical-cavity Surface-emitting Lasers Grown By Mocvd
机译:
低串联电阻连续分级镜多量子井垂直腔表面发射激光器由MOCVD种植
作者:
Ping Zhou
;
Cheng J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
9.
Three Terminal Does Lasers with Exceptionally Low Threshold Currents
机译:
三个终端具有异常低阈值电流的激光器
作者:
Taylor G.W.
;
Claisse P.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
10.
Ultra-Compact Monolithic Integration of Polarization Diversity Waveguide/Photodiodes
机译:
超紧凑的单片集成偏振分集波导/光电二极管
作者:
Den R.J.
;
Pennings E.C.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
11.
Comparison of Performance and Reliability Between Mosfets with Lpcvd Gate Oxide and Thermal Gate Oxide
机译:
LPCVD栅极氧化物和热栅氧化物MOSFET的性能和可靠性比较
作者:
Ahn J.
;
Ting W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
12.
Enhancement of Mobility In Pseudomorphic FETs with up and down Monolayers
机译:
用上下单层的假形型FET的流动性增强
作者:
Goronkin H.
;
Tehrani S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
13.
Effects of Substrate Tilting in Substantial Improvement of Dc Performance of Aigaas/gaas Npn Dhbt's Grown by Mbe
机译:
基质倾斜的影响在MBE生长的AIGAAS / GAPN DHBT的DC性能大大提高
作者:
Chand N.
;
Berger P.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
14.
Characteristics of Inaias/ingaasp Quantum-Well Hemts
机译:
INAIAS / INGAASP量子孔井的特征
作者:
Hong W-P.
;
Bhat R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
15.
Ultra-High-Speed Pin/hbt Monolithic Oeic Photoreceiver
机译:
超高速销/ HBT单片OEIC光蚀
作者:
Pedrotti K.D.
;
Pierson R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
16.
Bistability and Optical Switching in an Aias-Gaas-Ingaas Vertical-Cavity Surface-emitting Laser
机译:
AIS-GAAS-INGAAS垂直腔表面发射激光器中的双稳性和光学切换
作者:
Deppe D.G.
;
Lei C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
17.
High-Transconductance Ingaas/Inaias Sisfets
机译:
高跨越Ingaas / Inaias SISFET
作者:
Jackson T.N.
;
Solomon P.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
18.
Conjugated Polymers for Electronic, Opto-Electronic and All Optical Device Applications:
机译:
用于电子,光电电子和所有光学器件应用的共轭聚合物:
作者:
Bradley D.D.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
19.
Monolithic Integration of a Photodetector and a Vertical Cavity Surface Emitting Laser
机译:
光电探测器的单片集成和垂直腔表面发射激光器
作者:
Hasnain G.
;
Tai K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
20.
Low-threshold Ingas/gaas Strained-layer Surface Emitting Lasers With Two 45/spl deg/ Angle Etched Total Reflection Mirrors
机译:
低阈值InGAS / GaAs应变层表面发射激光器,具有两个45 / SPL型/角蚀刻的全反射镜
作者:
Chao C.P.
;
Law K.-K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
21.
Molecular Beam Epitaxial GaAs/Al/sub 0.2/Ga/sub 0.8/As Heterojunction Bipolar Transistor on
机译:
分子束外延GaAs / Al / Sub 0.2 / Ga / Sup 0.8 /作为异质结双极晶体管
作者:
Li W.Q.
;
Bhattacharya P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
22.
60 Ghz A l InAs/gainas/inp Dhbts Grown by Movpe+mbe
机译:
60 GHz A L INAS / GAINAS / INP DHBTS由MOVPE + MBE种植
作者:
Stanchina W.E.
;
Metzger R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
23.
Delta-Doped Sagm-Avalanche Photodiodes
机译:
Delta-Doped Sagm-Avalanche光电二极管
作者:
Kuchibhotla R.
;
Campbell J.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
24.
Over-estimate of Thin Dielectric Lifetime in Single Doping Type Poly-Gate Capacitors
机译:
单掺杂型多栅电容器中薄电介质寿命的过度估计
作者:
Wang S.J.
;
Chen I.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
25.
A Novel Substrate Hot Electron and Hole Injection Structure with a Double Implanted Buried Channel Mosfet
机译:
一种新型衬底热电子和空穴注入结构,具有双植入埋入通道MOSFET
作者:
Sukvoon Yoon
;
Siergiej R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
26.
A New Method of Interface Trap Modeling in Quantized MOSFET Inversion Layers
机译:
量化MOSFET反转层中的界面陷阱建模的新方法
作者:
Siergiej R.R.
;
Yoon S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
27.
Long Wavelength (10 /spl mu/m) Infrared Detector Using Si/sub 1-x/Ge/sub x/Si Multiple Quantum Wells
机译:
使用Si / sub 1-x / ge / sub x / si多量子孔的长波长(10 / spl mu / m)红外探测器
作者:
Karunasiri R.P.G.
;
Park J.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
28.
Low Shot Noise in High-Speed Resonant-tunneling diodes
机译:
高速谐振隧道二极管中的低射击噪声
作者:
Brown E.R.
;
Parker C.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
29.
Best Structures for Deep Submicron (0.1-0.3/spl mu/m) Mos Devices
机译:
深度亚微米(0.1-0.3 / SPL MU / M)MOS装置的最佳结构
作者:
Tasch A.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
30.
36 GHz Static Digital Frequency Dividers in AlInAs-Gainas Hbt Technology
机译:
36 GHz静态数字分频器在Alinas-Gainas HBT技术中
作者:
Jensen J.F.
;
Stanchina W.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
31.
Planar Field-Effect Coupled Quantum Wires
机译:
平面场效应耦合量子线
作者:
Eugster C.C.
;
del Alamo J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
32.
Stable-cw-operation of a Mqw Laser Emitting at 1.54 /spl mu/m on a Si Substrate at Room Temperature
机译:
在室温下在Si衬底上在1.54 / SPL mu / m处发射MQW激光的稳定CW操作
作者:
Sugo M.
;
Mori H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
33.
Integration of Poly Buffered Locos and Gate Processing for Submicron Isolation Technique
机译:
聚亚微米隔离技术的多缓冲基因座和栅极处理的集成
作者:
Juenghng W.
;
Hillenius S.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
34.
Inp Based Inverted High Electron Mobility Transistors
机译:
基于INP的倒立高电子迁移率晶体管
作者:
Schmitz A.E.
;
Nguyen L.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
35.
All-Electrical Laser Diode Characterization by Monolithic Integration with a Photodiode
机译:
通过与光电二极管的单片集成的全电激光二极管表征
作者:
Chu A.
;
Gigase Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
36.
3-D Simulation of Parasitic Mosfet Effects for Box Isolation Technologies
机译:
3-D模拟盒隔离技术的寄生MOSFET效应
作者:
Heiser G.
;
Noell M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
37.
Status of Tft/lcd Flat Panel Display
机译:
TFT / LCD平板显示器的状态
作者:
Tsukada T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
38.
The Minority Carrier Injection Controlled Field Effect Transistor (micfet)
机译:
少数载波注射控制场效应晶体管(MICFET)
作者:
Ajit J.S.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
39.
Reduction of Low-Frequency Noise in Npn Aigaas/gaas HBTs
机译:
NPN AIGAAS / GaAs HBT中的低频噪声降低
作者:
Costa D.
;
Liu W.U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
40.
High Density, Planar Zn-Diffused Ingaas/InP Photodetector Arrays with Extended Short Wavelength Response
机译:
高密度,平面Zn扩散IngaAs / InP光电探测器阵列扩展短波长响应
作者:
Williamson J.B.
;
Carey K.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
41.
Large Cw Power, Very Low Threshold, Single Transverse Mode Operation of Vertical Cavity Mushroom Structure Surface Emitting Lasers
机译:
大CW功率,非常低的阈值,单横向模式操作垂直腔蘑菇结构表面发射激光器
作者:
Yang Y.J.
;
Dziura T.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
42.
200 A/cm/sup 2/ Threshold Current Density 1.5/spl mu/m Gainas/aigainas Strained-layer Grin-sch Quantum Well Laser Diodes Grown By Omcvd
机译:
200 A / CM / SUP 2 /阈值电流密度1.5 / SPL MU / M GAINAS / AIGAINAS应变层GRIN-SCH量子孔激光二极管由OMCVD种植
作者:
Kasukawa A.
;
Bhat R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
43.
On the Investigation of Degradation Mechanisms in Ultra-High Performance Gaas Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
超高性能GaAs异质结双极晶体管降解机制研究
作者:
Yang-Hua Chang
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
44.
Electrical and Reliability Characteristics of Submicron Nmosfet's with Oxynitride Gate Dielectric Prepared by Rapid Thermal Oxidation in N/sub 2/O
机译:
亚微米NMOSFET的电气和可靠性特性通过N / SUB 2 / O快速热氧化制备的氮化物栅电介质。
作者:
Hytmsang Hwang
;
Wenchi Ting
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
45.
A New Device Structure And Process Flow For A Low Leakage Pin-diode-based Integrated Detector Array
机译:
基于低泄漏引脚二极管的集成探测器阵列的新设备结构和过程流程
作者:
Snoeys W.
;
Plummer J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
46.
Gate-Self-Aligned N-Channel and P-Channel Germanium Mosfets
机译:
门自对准的N沟道和P沟道锗MOSFET
作者:
Ransom C.M.
;
Jackson T.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
47.
Sige/si Camel-barrier Heterojunction Internal Photoemission Lwir Detector
机译:
SOGET / CAMEL阻隔内部PHOLONICE LIGIR探测器的内部异质结
作者:
Lin T.L.
;
Dejewski S.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
48.
Development of an Interactive Design Environment for Heterostructure and Quantum-Well Devices
机译:
开发异质结构和量子阱器件的交互式设计环境
作者:
Frensley W.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
49.
rf Response of High-T/sub c/ Sns Josephson Microbridges Suitable for Integrated Circuit Applications
机译:
适用于集成电路应用的高T / SUN C / SNS Josephson Microbridge的RF响应
作者:
Ono R.H.
;
Beall J-A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
50.
High Gain Resonant Ingaaias/ingaas Heterojunction Bipolar Phototransistor Grown by Molecular Beam Epitaxy
机译:
高增益共振InGaAIAS / Ingaas异质结双极光电晶体由分子束外延生长
作者:
Dodabalapur A.
;
Chang T.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
51.
A Novel Sal-Pinsch Quantum Well Laser Structure for a Pinched Beam Divergence
机译:
一种用于挤压光束发散的新型SAL-PINSCH量子孔激光结构
作者:
Chen Y.K.
;
Wu M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
52.
Strained Ingaas-gaas Quantum Well Lasers By Impurity-induced Disordering With Very Low Threshold and Moderate Blue-shift
机译:
通过杂质诱导的阈值诱导的阈值和中度蓝换点来应变Ingaas-Gaas量子孔。
作者:
Zou W.X.
;
Merz J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
53.
Effectiveness of N/sub 2/O-nitrided Gate Oxide for High Performance Cmosfets
机译:
高性能CMOSFET的N / SUB 2 / O型氮化栅极氧化物的有效性
作者:
Hayashi T.
;
Ohno M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
54.
0.2/spl mu/m Gate Aigaas/gaas Higfet (Heterostructure Insulated gate FET) with a
机译:
0.2 / SPL MU / M门AIGAAS / GAAS HIGFET(异质结构绝缘门FET)
作者:
Umemoto Y.
;
Matsumoto H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
55.
Characterization of Back-Channel Subthreshold Conduction of Walled Soi Devices
机译:
壁式SOI器件后沟道亚阈值传导的表征
作者:
Chen H.
;
Yue J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
56.
0.33/spl mu/m Millimeter Wave Inp-Channel Hemts with High F/sub T/ and F/sub MAX/
机译:
0.33 / SPL MU / M毫米波INP通道血管,具有高f / sub t / s sub max /
作者:
Aina L.
;
Burgess M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
57.
10 Gbit/s Monolithic Integrated Msm-Photodiode AlGaAs/GaAs-Hemt Optoelectronic Receiver
机译:
10 Gbit / s单片集成MSM-光电二极管ALGAAS / GAAS-HEMT光电接收器
作者:
Hurm V.
;
Rosenzweig J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
58.
Dynamic Characteristics of Photonic Gate with Multiple-Quantum-Well Reflection Modulator and Heterojunction Phototransistor
机译:
具有多量子阱反射调制器的光子栅极动态特性和异质结晶体管
作者:
Matsuo S.
;
Amano C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
59.
Endurance of Mosfets with Rapid Thermally Deoxidized Nitrided Thin Gate Oxides to Hot Carrier Induced Gidl
机译:
用快速热脱氧氮化薄栅极氧化物的MOSFET耐久性与热载体诱导的GID1
作者:
Joshi A.B.
;
Kwong D.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
60.
High Speed Single Quantum Well Ingaas/gaas Laser Design and Experiment
机译:
高速单量子井InGaAs / GaAs激光设计和实验
作者:
Nagarajan R.
;
Fukushima T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
61.
Heterodyne Measurement of Linewidth, Tunability and Frequency Synthesis of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Diode Arrays
机译:
垂直腔表面发射激光二极管阵列线宽,可调性和频率合成的外差测量
作者:
Olbright G.R.
;
Bryan R.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
62.
A 1920 X 1080 Element Deformable Mirror Device for High Definition Displays
机译:
一个1920 x 1080元件可变形镜装置,用于高清显示器
作者:
Boysel R.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
63.
Improved Device Performance and Reliability of N-Channel and P-Channel Mosfets with Ultrathin Gate Oxides Prepared by Conventional Furnace Oxidation of Si in Pure N/sub 2/O Ambient
机译:
利用常规N / SUB 2 / O环境中Si的常规炉氧化制备的超薄栅极氧化物改善了N沟道和P沟道MOSFET的装置性能和可靠性
作者:
Lo G.Q.
;
Ting W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
64.
Current Capabilities/needs and future possibilities of multi-Chip-modules Summary
机译:
多芯片模块摘要的当前功能/需求和未来可能性
作者:
Johnson R.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
65.
Gaas Sees the Light
机译:
GaAs看到了光明
作者:
Woodall J.M.
;
Warren A.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
66.
49th Annual Device Research Conference
机译:
第49届年度设备研究会议
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
67.
Improved Ruggedness of a High Current Vertical Power Dmos
机译:
改进了高电流垂直电源DMOS的坚固性
作者:
Kim M.J.
;
Mukherjee S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
68.
A Vertically-Integrated Gaas Bipolar Dram Cell
机译:
垂直集成的GaAs双极DRAM细胞
作者:
Stellwag T.B.
;
Cooper J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
69.
Tri-calorimetric Detector In Silicon With One Photodiode
机译:
带有一个光电二极管的硅中的三量热探测器
作者:
Wolffenbuttel R.F.
;
Blaauw E.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
2001年
意见反馈
回到顶部
回到首页