机译:MOVPE + MBE开发的6 GHz AlInAs / GaInAs / InP DHBT
机译:InP衬底上分子束外延生长的长波长应变层InAs / GaInAs单量子阱激光器
机译:使用AlAs / InAs超晶格插入的InP异质结FET的60GHz共面MMIC LNA
机译:Movpe + mbe生长的60 GHz InAs / Gainas / Inp Dhbts
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:具有50 GHz带宽的60 Gsa / s Inp-DHBT-THa,适用于高比特率通信系统
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器