机译:集成多缓冲LOCOS和亚微米隔离技术的门处理
机译:HF处理对侵蚀性多缓冲LOCOS隔离中栅极氧化物降解的影响
机译:氮原位掺杂多晶硅缓冲液LOCOS:用于深亚微米硅器件的简单且可扩展的隔离技术
机译:多缓冲Locos和门处理的集成,用于亚微米隔离技术
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:溶剂蒸发工艺参数对亚微米拉米夫定-聚-ε-己内酯共轭粒子直径的影响
机译:使用多缓冲的Locos隔离最小化完全耗尽的硅式绝缘体CMOS中的NMOS边缘泄漏