机译:通过在N / sub 2 / O中快速热氧化制备的具有氧氮化物栅极电介质的亚微米nMOSFET的电学和可靠性特征
机译:通过在N / sub 2 / O中快速热氧化制备的具有氧氮化物栅极电介质的亚微米nMOSFET的改进的可靠性特性
机译:稀蒸汽快速热氧化生长并在一氧化氮中退火的氧氮化物栅极电介质的电学和可靠性特征
机译:N / sub 2 / O中快速热氧化制备具有氧氮化物栅极电介质的亚微米Nmosfet的电学和可靠性特征
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:使用快速热处理在一氧化氮环境中制备的亚5纳米氧氮化物电介质的电性能
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能