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2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
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条结果
1.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
2.
Foreword
机译:
前言
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
3.
Challenges of future silicon IC technology
机译:
未来硅IC技术的挑战
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
4.
Disturb-free Independently-controlled-Gate 7T FinFET SRAM cell
机译:
无干扰独立控制门7T FinFET SRAM单元
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
5.
A study on abrupt switching phenomena of independent double-gated poly-Si nanowire transistors under cryogenic operation
机译:
低温工作下独立双栅多晶硅纳米线晶体管突然开关现象的研究
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
6.
Self-aligned back-gated suspended body single-walled carbon nanotube field-effect-transistors fabricated by high-precision positioning method
机译:
高精度定位法制备的自对准背栅悬浮体单壁碳纳米管场效应晶体管
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
7.
Cost effective scaling to 22nm and below technology nodes
机译:
经济有效地扩展至22nm及以下技术节点
作者:
Strojwas Andrzej J.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
8.
Physical IP and advanced SOI design for 22nm SOI technology
机译:
用于22nm SOI技术的物理IP和高级SOI设计
作者:
Pelloie Jean-Luc
;
Laabidi Selma
;
Charafeddine Kenza
;
Laplanche Yves
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
9.
Effect of junction engineering for 38nm BE-SONOS charge-trapping
机译:
结工程对38nm BE-SONOS电荷陷阱的影响
作者:
Chang Kuo-Pin
;
Lue Hang-Ting
;
Hsiao Yi-Hsuan
;
Hsieh Kuang-Yeu
;
Lu Chin-Yuan
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
10.
Study of defects in Al
2
O
3
blocking layers of TANOS memories by atomistic simulation, electrical characterization and physico-chemical material analyses
机译:
通过原子模拟,电学表征和理化材料分析研究TANOS存储器中Al
2 inf> O
3 inf>阻挡层的缺陷
作者:
Masoero L.
;
Molas G.
;
Blaise P.
;
Colonna J. P.
;
Vianello E.
;
Selmi L.
;
Papon A. M.
;
Lafond D.
;
Martin F.
;
Gely M.
;
Licitra C.
;
Barnes J. P.
;
Ghibaudo G.
;
De Salvo B.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
11.
Characterization of junction dosage effect on NAND arrays with charge pumping method
机译:
用电荷泵方法表征结剂量对NAND阵列的影响
作者:
Lee Chienying
;
Lee C. H.
;
Cheng C. H.
;
Chong L. H.
;
Chen K. F.
;
Chen Y. J.
;
Huang J. S.
;
Ku S. H.
;
Zous N. K.
;
Huang I. J.
;
Han T. T.
;
Chen M. S.
;
Lu W. P.
;
Chen K. C.
;
Wang Tahui
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
12.
New design method of the 3-Dimensional vertical stacked FG type NAND cell arrays without the interference effect
机译:
无干扰效应的3维垂直堆叠FG型NAND单元阵列的新设计方法
作者:
Seo Moon-Sik
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
关键词:
3-D vertical cell;
FG type NAND;
Interference effect;
13.
Junction-less stackable SONOS memory realized on vertical-Si-nanowire for 3-D application
机译:
在垂直硅纳米线上实现用于3D应用的无结点可堆叠SONOS存储器
作者:
Sun Y.
;
Yu H. Y.
;
Singh N.
;
Le T. T.
;
Gnani E.
;
Baccarani G.
;
Leong K. C.
;
Lo G. Q.
;
Kwong D. L.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
14.
A novel program disturb mechanism through erase gate in a 110nm sidewall split-gate Flash memory cell
机译:
一种通过110nm侧壁分裂栅闪存存储单元中的擦除栅的新型编程干扰机制
作者:
Wang Hsin-Heng
;
Hung Chih-Wei
;
Kuo Hui-Hung
;
Yang Tassa
;
Huang Jim
;
Hwang C. J.
;
Lin Yung-Tao
;
Ong Tong-Chern
;
Tran Luan C.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
15.
Chances and challenges of emerging memories for DRAM application
机译:
DRAM应用中新兴存储器的机遇与挑战
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
关键词:
DRAM;
STT-RAM;
ZRAM;
floating body cell;
16.
A new sensing scheme with high signal margin suitable for Spin-Transfer Torque RAM
机译:
一种新的具有高信号余量的传感方案,适用于自旋转矩RAM
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
17.
A high-performance low-power highly manufacturable embedded DRAM technology using backend hi-k MIM capacitor at 40nm node and beyond
机译:
一种高性能低功耗,高度可制造的嵌入式DRAM技术,在40nm节点及更高节点上使用后端hi-k MIM电容器
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
18.
Requirements of bipolar switching ReRAM for 1T1R type high density memory array
机译:
1T1R型高密度存储阵列对双极性开关ReRAM的要求
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
19.
Novel multi-level PCRAM cell with Ta
2
O
5
barrier layer in between a graded Ge
2
Sb
2
Te
5
stack
机译:
新型的多层PCRAM单元,在渐变的Ge
2 inf> Sb
2 inf> Te之间具有Ta
2 inf> O
5 inf>势垒层
5 inf>堆栈
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
20.
Beneficial effects of quantum confinement on Ge and InGaAs ultra-thin-body NMOSFETs
机译:
量子约束对Ge和InGaAs超薄NMOSFET的有益作用
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
21.
Leakage-delay analysis of Ultra-Thin-Body GeOI devices and logic circuits
机译:
超薄型GeOI器件和逻辑电路的泄漏延迟分析
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
22.
CMOS scaling for the 22nm node and beyond: Device physics and technology
机译:
适用于22nm及更高节点的CMOS缩放:设备物理和技术
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
23.
Automotive MEMS sensors — Trends and applications
机译:
汽车MEMS传感器—趋势和应用
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
24.
Carbon electronics — From material synthesis to circuit demonstration
机译:
碳电子学-从材料合成到电路演示
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
25.
Carbon nanotubes for VLSI: Interconnect and transistor applications
机译:
用于VLSI的碳纳米管:互连和晶体管应用
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
26.
Post Si CMOS graphene nanoelectronics
机译:
后Si CMOS石墨烯纳米电子学
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
27.
Toward carbon based quantum electronics: Quantum transport in graphene heterojunctions
机译:
迈向碳基量子电子学:石墨烯异质结中的量子传输
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
28.
Graphene transistors 2011
机译:
石墨烯晶体管2011
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
29.
Advanced CMOS technologies using III-V/Ge channels
机译:
使用III-V / Ge通道的先进CMOS技术
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
30.
Bias temperature instability (BTI) characteristics of graphene Field-Effect Transistors
机译:
石墨烯场效应晶体管的偏压温度不稳定性(BTI)特性
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
31.
Impacts of gap thickness scaling on Thin-Film Transistors with suspended nanowire channels
机译:
间隙厚度缩放对具有悬浮纳米线通道的薄膜晶体管的影响
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
32.
In
0.7
Ga
0.3
As channel n-MOSFETs with a novel self-aligned Ni-InGaAs contact formed using a salicide-like metallization process
机译:
In
0.7 inf> Ga
0.3 inf> As沟道n-MOSFET,采用类似于自对准硅化物的金属化工艺形成新型自对准Ni-InGaAs接触
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
33.
Detailed high-k/In
0.53
Ga
0.47
As interface understanding to enable improved In
0.53
Ga
0.47
As gate stack quality
机译:
详细的high-k / In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As接口理解可实现改进的In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As栅堆叠质量
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
34.
Variability and feasibility of CVD graphene interconnect
机译:
CVD石墨烯互连的可变性和可行性
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
35.
A systematic study of I/O device designs for TSV-based 3D chip stacking
机译:
基于TSV的3D芯片堆叠的I / O设备设计的系统研究
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
36.
High density bump-less Cu-Cu bonding with enhanced quality achieved by pre-bonding temporary passivation for 3D wafer stacking
机译:
通过预先键合3D晶圆堆叠的临时钝化来实现高密度,无凸点的Cu-Cu键合,从而提高质量
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
关键词:
3D IC;
Cu-Cu bonding;
face-to-face;
self-assembled monolayer;
wafer-on-wafer;
37.
A novel integrated process for polymer photovoltaic micro-power cell and polymer thin film transistors on flexible substrate
机译:
柔性衬底上的聚合物光伏微电池和聚合物薄膜晶体管的新型集成工艺
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
38.
Copper interconnect technology for the 22 nm node
机译:
用于22 nm节点的铜互连技术
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
39.
Forming-free resistive switching of TiO
x
layers with oxygen injection treatments
机译:
氧注入处理后的TiO
x inf>层的无形电阻转换
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
40.
Improvement of high-κ Ta
2
O
5
-based resistive switching memory using Ti interfacial layer
机译:
Ti界面层对高κTa
2 inf> O
5 inf>基电阻开关存储器的改善
会议名称:
《》
|
2011年
41.
Study on solid phase epitaxy formed embedded SiC by tilted cluster carbon ion implantation
机译:
倾斜簇碳离子注入固相外延形成嵌入SiC的研究
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
42.
An atomic level study of multiple co-implantation technology for 32nm and beyond pMOSFETs ultra-shallow junction
机译:
用于32nm及以上pMOSFET超浅结的多重共注入技术的原子级研究
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
43.
New Tellurium implant and segregation for contact resistance reduction and single metallic silicide technology for independent contact resistance optimization in n- and p-FinFETs
机译:
用于降低接触电阻的新型碲注入和隔离以及用于n和p-FinFET的独立接触电阻优化的单金属硅化物技术
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
44.
High temperature millisecond silicide anneal for contact resistivity < 10
−8
Ωcm
2
机译:
接触电阻率<10
−8 sup>Ωcm
2 sup>的高温毫秒硅化物退火
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
45.
III-V devices featuring Si transistor-like process and its heterogeneous integration on Si substrate
机译:
III-V器件具有类硅晶体管工艺及其在硅衬底上的异质集成
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
46.
Novel damage-free high-k removal for sub-32nm metal gate/high-k LSTP CMOSFETs using neutral beam-assisted atomic layer etching
机译:
使用中性束辅助原子层蚀刻技术对32nm以下的金属栅/高k LSTP CMOSFET进行新颖的无损伤高k去除
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
47.
A new interface defect spectroscopy method
机译:
一种新的界面缺陷光谱法
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
关键词:
Pinfb/inf centers;
charge pumping;
interface states;
48.
Automotive vision for advanced driver assistance systems
机译:
先进驾驶员辅助系统的汽车视觉
作者:
Kisacanin Branislav
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
49.
Smart Power technologies on SOI
机译:
SOI上的智能电源技术
作者:
Wessels Piet
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
50.
High-performance SiC power devices and modules with high temperature operation
机译:
高温工作的高性能SiC功率器件和模块
作者:
Nakamura T.
;
Nakano Y.
;
Sasagawa M.
;
Otsuka T.
;
Aketa M.
;
Miura M.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
51.
Design challenges for high performance and power efficient graphics and mobile memory interfaces
机译:
高性能,高能效图形和移动内存接口的设计挑战
作者:
Wei Jason
;
Amirkhany Amir
;
Yuan Chuck
;
Leibowitz Brian
;
Frans Yohan
;
Nguyen Nhat
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
52.
Voltage driving or current driving: Which is preferred for RRAM programming?
机译:
电压驱动或电流驱动:RRAM编程中哪一个更合适?
作者:
Lv Hangbing
;
Lian Wentai
;
Long Shibing
;
Liu Qi
;
Li Yingtao
;
Wang Wei
;
Wang Yan
;
Zhang Sen
;
Liu Ming
会议名称:
《》
|
2011年
53.
IC process compatible anodic electrode structures for unipolar HfOx-based RRAM
机译:
用于单极性基于HfOx的RRAM的IC工艺兼容阳极电极结构
作者:
Chen W. S.
;
Chen Y. S.
;
Hsu Y. Y.
;
Yang S. Y.
;
Liu W. H.
;
Lee H. Y.
;
Gu P. Y.
;
Tsai C. H.
;
Wang S. M.
;
Chen P. S.
;
Wang Y. H.
;
Chen F. T.
;
Tsai M.-J.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
54.
Low power ReRAM with Fab-friendly materials through PVD morphology and stoichiometry control
机译:
通过PVD形态和化学计量控制的具有Fab友好材料的低功耗ReRAM
作者:
Otani Yuichi
;
Gilmer David C.
;
Park Hokyung
;
Junko Ono
;
Yamaguchi Nobuo
;
Nakagawa Takashi
;
Kirsch Paul D.
;
Jammy Raj
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
55.
Characterization of switching parameters and multilevel capability in HfO
x
/AlO
x
bi-layer RRAM devices
机译:
HfO
x inf> / AlO
x inf>双层RRAM器件中开关参数的表征和多级能力
作者:
Yu Shimeng
;
Wu Yi
;
Chai Yang
;
Provine J.
;
Wong H.-S. Philip
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
56.
Impact of compliance current overshoot on high resistance state, memory performance, and device yield of HfO
x
based resistive memory and its solution
机译:
顺应性电流过冲对基于HfO
x inf>的电阻存储器的高电阻状态,存储性能和器件良率的影响及其解决方案
作者:
Chen Yu-Sheng
;
Liu Wen-Hsing
;
Lee Heng-Yuan
;
Chen Pang-Shiu
;
Wang Sum-Min
;
Tsai Chen-Han
;
Hsu Yen-Ya
;
Gu Pei-Yi
;
Chen Wei-Su
;
Chen Frederick
;
Lien Chen-Hsin
;
Tsai Ming-Jinn
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
57.
Physical mechanism of HfO
2
-based bipolar resistive random access memory
机译:
基于HfO
2 inf>的双极电阻式随机存取存储器的物理机制
作者:
Chang Huan-Lin
;
Li Hsuan-Chih
;
Liu C. W.
;
Chen F.
;
Tsai M.-J.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
58.
UTBOX and ground plane combined with Al
2
O
3
inserted in TiN gate for V
T
modulation in fully-depleted SOI CMOS transistors
机译:
UTBOX和接地层与在TiN栅极中插入的Al
2 inf> O
3 inf>结合,用于全耗尽SOI CMOS晶体管中的V
T inf>调制
作者:
Fenouillet-Beranger C.
;
Perreau P.
;
Casse M.
;
Garros X.
;
Leroux C.
;
Martin F.
;
Gassilloud R.
;
Bajolet A.
;
Tosti L.
;
Barnola S.
;
Andrieu F.
;
Weber O.
;
Beneyton R.
;
Perrot C.
;
de Buttet C.
;
Abbate F.
;
Pernet B.
;
Campidelli Y.
;
Pinzelli L.
;
Gouraud P.
;
Huguenin J. L.
;
Borowiak C.
;
Peru S.
;
Clement L.
;
Pantel R.
;
Bourdelle K. K.
;
Nguyen B. Y.
;
Boedt F.
;
Denorme S.
;
Faynot O.
;
Skotnicki T.
;
Boeuf F.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
59.
On the origin of the mobility reduction in bulk-Si, UTBOX-FDSOI and SiGe devices with ultrathin-EOT dielectrics
机译:
关于具有超薄EOT电介质的块状Si,UTBOX-FDSOI和SiGe器件迁移率降低的起源
作者:
Ragnarsson L.-A.
;
Mitard J.
;
Kauerauf T.
;
De Keersgieter A.
;
Schram T.
;
Rohr E.
;
Collaert N.
;
Jurczak M.
;
Hong S.-H.
;
Tseng J.
;
Wang W.-E.
;
Trojman L.
;
Bourdelle K. K.
;
Nguyen B.-Y.
;
Absil P.
;
Hoffmann T. Y.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
60.
Influence of NiSi on parasitic resistance fluctuation of FinFETs
机译:
NiSi对FinFET寄生电阻波动的影响
作者:
Matsukawa T.
;
Liu Y. X.
;
Endo K.
;
Tsukada J.
;
Ishikawa Y.
;
Yamauchi H.
;
Ouchi S.
;
Sakamoto K.
;
Masahara M.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
61.
Experimental determination of the transport parameters in high performance Dopant-Segregated Schottky-barrier MOSFETs
机译:
实验确定高性能掺杂物隔离的肖特基势垒MOSFET的传输参数
作者:
Cheng X. S.
;
Hsieh E. R.
;
Chung Steve S.
;
Tsai C. H.
;
Tsai T. L.
;
Chiang W. T.
;
Tsai C. T.
;
Liang C. W.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
62.
CMOS nanoelectronics at the time of diversifications
机译:
多元化时的CMOS纳米电子学
作者:
Deleonibus Simon
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
63.
BSIM-CG: A compact model of cylindrical gate / nanowire MOSFETs for circuit simulations
机译:
BSIM-CG:圆柱栅极/纳米线MOSFET的紧凑模型,用于电路仿真
作者:
Sriramkumar V.
;
Lu Darsen D.
;
Morshed Tanvir H.
;
Kawakami Yukiya
;
Lee Peter M.
;
Niknejad Ali M.
;
Hu Chenming
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
64.
FDSOI radiation dosimeters
机译:
FDSOI辐射剂量计
作者:
Yau Jeng-Bang
;
Gordon Michael S.
;
Rodbell Kenneth P.
;
Koester Steven J.
;
DeHaven Patrick W.
;
Park Dae-Gyu
;
Haensch Wilfried E.
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
65.
An assessment of patterning options for 15nm half-pitch
机译:
15nm半间距图案选择的评估
作者:
Bencher Christopher
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
66.
EUV lithography introduction at Chipmakers
机译:
Chipmakers中的EUV光刻技术介绍
作者:
Wagner Christian
;
Bacelar Jose
;
Harned Noreen
;
Loopstra Erik
;
Hendriks Stef
;
de Jong Ivo
;
Kuerz Peter
;
Levasier Leon
;
van de Kerkhof Mark
;
Lowisch Martin
;
Meiling Hans
;
Ockwell David
;
Peeters Rudy
;
van Setten Eelco
;
Stoeldraijer Judon
;
Young Stuart
;
Zimmerman John
;
Kool Ron
;
Chen Alek
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
67.
A quantum approach to nanocrystal nonvolatile memory
机译:
纳米晶体非易失性存储器的量子方法
作者:
Wang Pei-Yu
;
Tsui Bing-Yue
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
|
2011年
68.
The important challenge to optimize the double patterning process toward 22nm node and beyond
机译:
优化朝向22nm节点及更高节点的双重图案化工艺的重大挑战
作者:
Yaegashi Hidetami
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
关键词:
RDR;
SADP;
double patterning;
hole shrink;
restricted design rule;
spacer DP;
69.
Connected vehicles in a connected world
机译:
互联世界中的互联车辆
作者:
Chan Ching-Yao
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
70.
VLSI-TSA organization
机译:
VLSI-CA组织
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
71.
Table of content
机译:
表中的内容
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
72.
Extending planar device roadmap beyond node 20nm through ultra thin body technology
机译:
通过超薄体技术将平面器件路线图扩展到节点20nm之外
作者:
Maleville Christophe
会议名称:
《2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications》
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2011年
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