机译:Si和Ge的介电常数不同会导致应变Si / SiGe MOS器件的阈值电压降低
机译:具有超高空穴迁移率的SiGe / Ge / SiGe异质结构的生长及其器件应用
机译:7NM技术节点中应变SiGe和Buk-Si通道FinFET的性能比较
机译:在具有超薄-TATIN-EOT电介质的Bulk-Si,UTBOX-FDSOI和SiGe器件的迁移率降低的起源
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:用于钨二硒化物器件的共形六方氮化硼氮化物介电界面具有改善的迁移率和散热
机译:在散装和PD-SOI上形成的SiGe PMOSFET电气特性的比较