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第十八届全国半导体物理学术会议
第十八届全国半导体物理学术会议
召开年:
2011
召开地:
呼和浩特
出版时间:
2011-08-20
主办单位:
中国物理学会
会议文集:
第十八届全国半导体物理学术会议论文集
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共
28
条结果
1.
补偿性共掺对石墨烯表面吸附3d过渡金属体系电子结构和磁学性质的影响
齐世飞
;
许小红
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
如何使石墨烯获得磁性同时又能最大程度地保持其特性就成为目前石墨烯基铁磁性材料研究中的关键。通过第一性原理计算,开展了补偿性共掺杂方法对石墨烯表面吸附3d过渡金属体系电子结构和磁学性质的影响。具体研究了B的取代式掺杂对石墨烯表面吸附3d过渡金属体系几何结构、吸附性质、磁学性质,特别是电子结构的调控作用。
铁磁性材料;
石墨烯;
物理性能;
补偿性共掺杂法;
3d过渡金属体系;
2.
氧化锌基稀磁半导体薄膜制备与磁性机理研究
刘学超
;
卓世异
;
熊泽
;
施尔畏
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文研究了磁性过渡金属Co掺杂ZnO体系,采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法在不同的条件下制备了上述薄膜,表征了薄膜的微结构、半导体性能、磁性和光学性能。研究结果表明对于Co掺杂ZnO纳米薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀、良好的光学透过特性,只有在高真空条件下沉积的薄膜才表现出室温铁磁性,随着氧气分压的增大,铁磁性消失,并且具有铁磁性的薄膜经氧气气氛退火铁磁性也消失;在体系中引入Al后薄膜则表现出稳定的室温铁磁性。
稀磁半导体材料;
纳米薄膜;
氧化锌基;
过渡金属离子;
磁性机理;
3.
钕、镁掺杂氧化锌薄膜制备及其血液相容性物理机理
陈弟虎
;
黄展云
;
罗平
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
通过实验和理论相结合的方法,以氧化锌薄膜为研究对象,详细研究了射频磁控溅射的沉积工艺、稀土钕掺杂和镁掺杂对氧化锌薄膜结构、表面性质以及血液相容性的影响。从半导体理论出发,建立了包括表面吸附理论模型和电子转移模型在内的抗凝血生物物理模型,系统地解释了血液相容性的本质,这为开发新型抗凝血材料提供了理论依据。
氧化锌薄膜;
射频磁控溅射工艺;
掺杂改性;
抗凝血材料;
物理模型;
4.
波长可调谐垂直腔面发射激光器
关宝璐
;
郭霞
;
李硕
;
史国柱
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文采用新型悬臂梁式可调谐垂直腔面发射激光器结构,将具有Al0.8Ga0.2As牺牲层结构的DBR反射镜制备成微纳光机电系统(Micro-Nano-Optical Machine System,MEMS),并与多量子阱有源区光纵向耦合结构相结合,有效提高VCSEL耦合效率、实现单模输出、光波可调控制。
光通信技术;
可调谐垂直腔面发射激光器;
微纳光机电系统;
光波调控;
5.
一种SOICOMS器件GaN-DSOI新结构
张新
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
为利用SOI技术的优点,尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层,并在此基础上探索新型SOI器件结构,正是基于这种思想提出了相应的埋层新结构。为降低成本开发了基于硅基衬底上的GaN技术,说明GaN作SOI埋层填充物,在与硅和二氧化硅的兼容性上技术障碍得到了克服,用其作为SOICMOS器件的埋层新结构技术是可行的。
半导体材料;
SOI器件;
埋层结构;
性能分析;
6.
窄禁带半导体超晶格的红外调制光谱初步研究
邵军
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭,使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和PR光谱特性成为可能。窄禁带半导体超晶格被认为是在长波红外波段有望替代HgCdTe的新型红外探测材料,对其进行了系统概述。
半导体材料;
窄禁带碲镉汞;
超晶格;
物理性能;
红外调制技术;
7.
透射光栅调制圆二色泵浦-探测光谱及其应用于GaAs量子阱中电子自旋双极输运动力学研究
赖天树
;
陈科
;
王文芳
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
电子自旋为半导体电子器件提供了一个新的操控自由度,期待与电荷自由度组合,发展新一代低功耗、高集成度的纳米电子器件-自旋电子器件。然而,半导体自旋电子器件的成功依赖于电子自旋极化、注入、输运、检测和控制等基本问题的成功解决。这些问题已成为目前国际上的前沿研究热点。本文对其中自旋输运基本问题进行了研究,发展了一种新的时间分辨透射光栅调制的泵浦-探测光谱技术及其理论,并应用于(110)GaAs量子阱中电子自旋双极输运动力学研究,首次获得了电子自旋双极扩散系数的电子浓度依赖结果。
半导体电子器件;
泵浦-探测光谱技术;
GaAs量子阱;
透射光栅;
电子自旋;
8.
宽谱减反圆锥光栅表面在Si薄膜电池中的吸收增强效应研究
张瑞英
;
邵彪
;
董建荣
;
张金仓
;
杨辉
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文针对针对1微米厚的薄膜Si电池,采用严格的耦合波理论,系统模拟了不同周期和不同深度亚波长结构对表面反射和电池吸收,结果表明,尽管高深宽比的亚波长结构获得的减反效果最佳,但事实上,由此带来的吸收增强非常有限。相反,P=500nm ,H>350nm的亚波长结构的Si电池,其光吸收要远高于上面反射率低的电池。
硅薄膜太阳电池;
亚波长结构;
圆锥光栅;
宽谱减反;
9.
n型GaN中高场电子漂移速度的尺寸效应
马楠
;
沈波
;
许福军
;
卢励吾
;
林芳
;
冯志红
;
敦少博
;
刘波
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
GaN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性,受到了广泛的关注。负微分电阻效应是一种重要的高场效应,它决定了高电场下工作的器件性能,电子速度过冲更增强了器件的高速工作。因此,研究高场下GaN基材料中的负微分电阻效应具有重要意义。本文研究了不同沟道尺寸的n型GaN外延层的高场电流--电压(I-V)特性,发现了高电场下电子的漂移速度的尺寸效应并分析了导致这种效应的原因。
半导体材料;
氮化镓基;
物理性能;
负微分电阻效应;
电子漂移;
10.
钛掺杂氮化铝基稀磁半导体薄膜的制备
任银拴
;
蒋小康
;
简基康
;
李锦
;
孙言飞
;
吴荣
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文介绍了采用共溅法制备Ti掺杂AlN薄膜的方法,并通过X射线衍射(X-ray diffraction , XRD)进行表征。
稀磁半导体;
氮化铝薄膜;
钛掺杂工艺;
射频磁控溅射技术;
11.
n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光
吴国光
;
沈春生
;
郭忠杰
;
高福斌
;
宋力君
;
张硕
;
李万程
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上,采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。
氮化铟材料;
分子束外延技术;
电致发光;
物理性能;
12.
高效率量子点太阳电池的构建与实现
彭英才
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
利用各种纳米结构光伏材料设计和制作的太阳电池将是未来第三代太阳电池的有力竞争者,本文依据零维量子点材料所具有的各种新颖光伏性质,提出了两种结构组态的量子点太阳电池:一种是基于纳米晶粒中的多激子产生效应,以有效减少高能光子损耗的太阳电池,即量子点激子太阳电池;另一种是基于量子点中间带的能量上转换性质,以增加红外波长吸收尽而减少低能光子损失的太阳电池,即量子点中间带太阳电池。这两种量子点太阳电池的理论极限效率均可高达60%以上,本文评论了它们近10年中在理论和实验方面取得的重要研究进展,提出了发展量子点太阳电池的若干物理与技术对策。
量子点太阳电池;
光伏材料;
纳米结构;
技术改造;
13.
GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质
崔凯
;
马文全
;
卫炀
;
黄建亮
;
张艳华
;
曹玉莲
;
郭晓璐
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/GaAs量子点体系具有二型异质结构(type-Ⅱ),电子和空穴在不同空间非直接跃迁辐射复合,概述了其电学性质及光学性质。
量子点材料;
异质结构;
零维结构;
光电性质;
14.
镶嵌于SiC中的纳米硅的制备及光电性质研究
李淑鑫
;
芮云军
;
曹蕴清
;
徐骏
;
李伟
;
陈坤基
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
通过对等离子体增强化学气相沉积法制备出的非晶碳化硅膜的微结构和光学特性进行了研究,发现结构和化学键组态的变化对其光学特性的影响很大,在原来工作的基础上,进一步对系列非晶碳化硅的电导率随温度的变化关系进行了研究,通过热退火获得了纳米硅镶嵌在碳化硅结构,研究了其结构及光学、电学特性。
纳米硅材料;
非晶碳化硅;
结构特征;
光电性质;
15.
水分子在ZnO和GaN表面的吸附结构与性质研究
耶红刚
;
陈光德
;
竹有章
;
乔志娟
;
牛海波
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
研究水分子与固体表面的相互作用很有必要,特别是近年来有研究表明GaN和ZnO的固溶体是一种高效的光解水制氢催化剂,综述了水分子在ZnO和GaN表面的吸附结构与性质研究。
半导体材料;
氧化锌;
氮化镓;
表面结构;
吸附机理;
16.
Zn1-xMgxO/ZnO异质结构中自旋极化二维电子气的圆偏振光电流效应和光致逆自旋霍尔效应
段俊熙
;
唐宁
;
叶建东
;
尹春明
;
张姗
;
陈涌海
;
K.L.Tao
;
沈波
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文利用圆偏振光电流探测手段研究了室温下Zn1-xMgxO/ZnO异质结2DEG的自旋轨道耦合性质,观测到了很强的CPGE电流,并结合输运测量结果得出了异质结中2DEG是自旋极化的结论。实验中发现了新的现象,认为是由2DEG中电子自旋极化造成的,研究结果提供了一种研究自旋极化体系的新手段。
半导体材料;
二维电子气;
自旋极化体系;
圆偏振光电流效应;
光致逆自旋霍尔效应;
17.
氮化铝单晶材料制备技术研究
郑瑞生
;
武红磊
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
通过对氮化铝晶体及其制备方法高温物理气相法的简要介绍,总结了制备过程中的难点,并概述了在基本掌握了氮化铝晶体生长习性和工艺条件的基础上取得的研究进展。
半导体材料;
氮化铝晶体;
制备技术;
高温物理气相法;
18.
全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究
刘世韬
;
王新强
;
陈广
;
冯丽
;
马定宇
;
沈波
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文利用分子束外延(MBE)设备,采用调节生长温度控制In组分的方法,获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜,并对其b因子进行了深入研究。
半导体材料;
铟氮化稼薄膜;
分子束外延生长;
物理性能;
19.
GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响
俞锋
;
张国义
;
陈志忠
;
王溯源
;
邓俊静
;
姜爽
;
李俊泽
;
于彤军
;
康香宁
;
秦志新
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响,本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合,之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键合和激光剥离条件,从而得到芯片外延层中不同的应力分布,进而影响到VSLED芯片发光强度,波长在表面的不同分布。
铟氮化稼;
垂直结构;
LED载流子;
键合技术;
光强平面分布;
20.
cBN电光张量的测量
王爽
;
周平伟
;
迟世鹏
;
朱景程
;
贾刚
;
陈占国
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
用cBN晶体进行电光调制能够实现短波长和高光强调制,所以有必要对cBN晶体的电光张量进行测量。把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量比较方便而又准确,而cBN晶体的硬度仅次于金刚石,目前人工合成的cBN晶体的尺寸普遍很小,把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量有相当大的难度,对测量技术进行了概述。
半导体材料;
立方氮化硼;
电光张量;
调制系统;
21.
In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响
沈春生
;
吴国光
;
郭忠杰
;
李万程
;
宋力君
;
张硕
;
高福斌
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响,在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入层,并研究其带来的影响。
半导体材料;
氮化铟薄膜;
等离子体辅助分子束外延技术;
技术改造;
22.
AIGaN:In插入层对多量子阱的影响
李孔翌
;
杨伟煌
;
李金钗
;
李书平
;
蔡端俊
;
陈航洋
;
刘达艺
;
康俊勇
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
在本文中,主要探讨在结构材料中引入AlGaN:In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN: In插入层可提升表面与界面的平整度,提高其上外延层的晶体质量、组分均一性以及多量子阱的发光效率;若插入层过厚,将导致外延晶体质量下降,严重影响多量子阱层的发光。
紫外发光器件;
镓铝氮基;
铟插入层;
晶体质量;
多量子阱;
发光效率;
23.
热氧化对In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触反向漏电流的影响
林芳
;
黄俊
;
沈波
;
卢励吾
;
许福军
;
马楠
;
宋杰
;
黄呈橙
;
刘新宇
;
魏珂
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量,系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特基接触的电学性质的影响。
氮化镓晶格;
热氧化技术;
异质结构;
电学性质;
24.
SiC晶体结晶缺陷分布演化研究
郭啸
;
刘学超
;
忻隽
;
杨建华
;
施尔畏
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征,重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成及演化的规律以及与生长条件的关系,为优化SiC晶体生长条件、提高晶体结晶质量提供了有益参考。
半导体材料;
碳化硅晶体;
缺陷分析;
质量控制;
25.
硅材料中电光效应的测量与区分
王振宇
;
朱景程
;
刘秀环
;
牟晋博
;
贾刚
;
陈占国
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
提出了一种实验方法,可以将硅中的Kerr效应、场致线性电光效应、和载流子色散效应有效区分开来,并分别获得这些效应对电光调制作用的贡献大小,对此进行了概述。
电光调制器;
硅材料;
电光效应;
交流调制电场;
26.
Si基太阳电池红外热场的研究
肖文波
;
张志敏
;
何兴道
;
万雄
;
高益庆
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文研究了太阳电池直流电流偏置下红外热场图像的特征,得出太阳电池电致红外光强度正比于电流密度;且电极部分红外图像区别最大,对此进行了概述。
硅基太阳电池;
缺陷检测;
红外热场;
电流密度;
27.
物质的发光机理研究
王力纬
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
本文在普朗克量子假说和爱因斯坦光量子假说的基础上,提出了中基子(一种新的基本粒子,通过理论计算求得中基子的质量为7.37249577×10-51kg)假说,揭示了光的量子性本质和物质的发光机理。研究结果表明,光子实质上是中基子的集合,光是由中基子组成的,光的本质是粒子性的,光的波动性是由组成光的中基子流的运动具有周期性决定的;光的量子性本质上就是光的中基子性,即光的量子性由组成光的中基子的性质决定。
发光机理;
中基子流;
原子光谱;
波动性;
28.
InGaAs/GaAs量子点光电探测器的仿真研究
范梁
;
盛阳
;
郭方敏
《第十八届全国半导体物理学术会议》
|
2011年
摘要:
对InGaAs/GaAs量子点光电探测器的仿真研究进行了综述,简要介绍了其研究方法,并对其研究结果进行分析。
光电探测器;
量子点;
仿真分析;
谐振耦合性能;
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