AIGaN:In插入层对多量子阱的影响

摘要

在本文中,主要探讨在结构材料中引入AlGaN:In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN: In插入层可提升表面与界面的平整度，提高其上外延层的晶体质量、组分均一性以及多量子阱的发光效率;若插入层过厚，将导致外延晶体质量下降，严重影响多量子阱层的发光。