垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

摘要

低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si 量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。