Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

摘要

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性能的影响.研究表明:掺Si能大大提高(Al0.3Gao7)0.5In0.5P/Gao5In0.5P多量子阱的发光强度.相对于未故意掺杂的样品,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍.外延片的X射线双晶衍射测试表明,Si掺杂并没有使多量子阱的界面质量变差.