退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110085713A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 刘卫东;肖凯香;普丹丹;赵伟;
申请/专利号CN201910478633.6
发明设计人 刘卫东;肖凯香;普丹丹;赵伟;
申请日2019-06-03
分类号H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构12236 天津知远君正专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人何君
地址 300270 天津市滨海新区古林街世纪花园105-3-602
入库时间 2024-02-19 12:40:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20190603
实质审查的生效
2019-08-02
公开
机译: 紫外发光二极管的多量子阱及其制备方法
机译:带有渐变超晶格AlGaN / GaN插入层的绿色GaN基发光二极管的性能增强
机译:在有机发光二极管中插入空穴注入层的影响:一种数值方法
机译:在电子传输层中插入聚对二甲苯-N膜:一种有效提高有机发光二极管效率的方法
机译:通过在空穴传输层和发光层之间插入缓冲层来改善荧光蓝色有机发光二极管的性能
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:带有高极性醇溶剂的高亮度钙钛矿发光二极管将PEDOT:PSS用作空穴传输层
机译:通过P型MGZNO电子阻挡层增强MgZnO / ZnO多量子阱发光二极管的紫外线发光二极管
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。