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李淑鑫; 芮云军; 曹蕴清; 徐骏; 李伟; 陈坤基;
中国物理学会;
纳米硅材料; 非晶碳化硅; 结构特征; 光电性质;
机译:常压非热等离子体从SIC14制备的多晶硅%常压非热等离子体从SIC14制备的多晶硅%
机译:乙醇中硅激光烧蚀制备的高光敏纳米结构4H-SiC / P-Si异质结构的表征
机译:SiC_x薄膜中掺磷硅纳米晶的制备与表征
机译:嵌入SiO2中的硅纳米晶体的电子结构和光电性质研究。
机译:具有等离激元纳米结构的电磁场的操纵:非线性频率混合,光学操纵,硅光电二极管中光电流的增强和抑制以及表面增强光谱。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:等离子体增强化学气相沉积法制备纳米柱4H-SiC雪崩光电二极管和a-SiXC1-X的光电特性
机译:光电导alGaN探测器的制备和表征/ siC晶片的结构表征
机译:使用硅纳米粉的雪崩光电二极管和使用硅纳米粉的硅光电倍增器
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