Optoelectronic Characteristics of Nano-pillar 4H-SiC Avalanche Photodiode and a-SiXC1-X Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

摘要

相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅（SiC）材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化学腐蚀的特性。基于SiC材料这些优越的特性，SiC材料的生长及其高功率高温器件和紫外微弱信号的探测器件已经日益成为半导体器件科学研究的热点。 本文的研究主要包括一种新型的纳米柱光控雪崩4H-SiC光电二极管（NAPD）的光电性质模拟研究和PECVD生长的氢化非晶碳化硅(a-SiXC1-X:H)薄膜的光学特性研究。 1. 4H-SiCNAPD的光电性质模拟研究 在雪崩击穿原理和传统雪崩光电二极管（APD）的工作原理基础上设计一种新型SAM结构的纳米柱光控雪崩...