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俞锋; 张国义; 陈志忠; 王溯源; 邓俊静; 姜爽; 李俊泽; 于彤军; 康香宁; 秦志新;
中国物理学会;
铟氮化稼; 垂直结构; LED载流子; 键合技术; 光强平面分布;
机译:量子限制斯塔克效应和载流子局域效应对GaN基LED调制带宽的影响
机译:局域化能态的在尾效应减少的InGaN GaN基LED的效率随着电流密度
机译:共晶AuSn层中的相分布随温度上升速率而变化,并且对GaN基垂直结构LED的性能产生影响
机译:表面处理对带有电镀金属基板的垂直结构GaN基LED性能的影响
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:垂直结构GaN基LED关键技术研究
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:垂直结构GaN基LED器件的制造方法
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