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黄亚军; 王良臣; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽;
中国科学院半导体研究所照明研发中心;
氮化镓; 垂直结构; 发光二极管; 电流分布; 激光剥离;
机译:p-GaN /溅射沉积NiAg基电极的界面性能对垂直GaN基LED的光学性能的影响
机译:使用FDTD模拟研究GaN基垂直LED结构中的赛尔效应
机译:使用分层的微/亚波长结构提高了GaN基垂直LED的光提取效率
机译:垂直电极GaN基蓝色LED中的电流扩散分析
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:垂直结构GaN基LED关键技术研究
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化
机译:用于GaN基垂直LED封装的GaN LED Au-In Au-In互扩散键合方法
机译:应用石墨烯薄膜电流扩展层的基于GAN的垂直结构LED
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