机译:局域化能态的在尾效应减少的InGaN GaN基LED的效率随着电流密度
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет 195251 Санкт-Петербург Россия---;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
НИИ физики им. В.А. Фока физического факультета СПбГУ 198504 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия -;
机译:强大激光InGaN / GaN二极管中的负微分电阻
机译:高电流密度下GAN LED的效率下降:INGAN / GAN量子坑中的隧道渗漏电流和载体的不完全横向定位
机译:DROP效率GAN发射具有高电流密度的二极管:隧道泄漏电流和不完整的侧面到载波的本地化在量子阱中INGAN / GAN
机译:DERI方法在InN / InGaN MQW,厚InGaN和InGaN / InGaN MQW结构生长中的应用
机译:Inn和IngaN Nanostrctures的光学分析= Optiant Analsite Von Ind Indoostructure
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:强大的蓝色Ingan / Gan-LED效率的温度降低