SiC晶体结晶缺陷分布演化研究

摘要

本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征,重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成及演化的规律以及与生长条件的关系,为优化SiC晶体生长条件、提高晶体结晶质量提供了有益参考。