In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响

摘要

采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入层，并研究其带来的影响。