机译:具有双DCC电路的3.57 Gb / s / pin低抖动全数字DLL,用于采用54nm CMOS技术的GDDR3 DRAM
department of electrical engineering, Keio University, Hynix Semiconductor Inc, Yokohama, Japan;
Delay-locked loop (DLL); dual duty cycle correlation (DCC); low jitter;
机译:低抖动,宽范围偏斜校准的双环DLL,采用反高速电路,用于高速DRAM
机译:适用于512 Mb 2.0 Gb / s / pin GDDR3和2.5 Gb / s / pin GDDR4 SDRAM组合的大范围混合模式DLL
机译:具有双时钟系统,四相输入启动和低抖动全模拟DLL的1.5V 3.2 Gb / s / pin图形DDR4 SDRAM
机译:具有双重循环校正电路的0.1至1.5GHz 4.2MW全数字DLL,在66nm CMOS技术中进行双芯循环校正电路和更新齿轮电路,用于DRAM
机译:基于1-16 GB / S的全数字阶段内插器的时钟和数据恢复电路及深亚微米CMOS晶体管在低温温度下的可靠性研究
机译:适用于大型同步网络的低抖动Gb / s CMOS时钟和数据恢复电路
机译:低噪声,低功耗传感器接口电路,用于标准CmOs技术的光谱分析,工作频率为4K