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CASCODE CIRCUITS IN DUAL THRESHOLD VOLTAGE, BICMOS AND DTMOS TECHNOLOGIES

机译:双阈值电压,BICMOS和DTMOS技术的CASCODE电路

摘要

The various embodiments utilize cascode circuits in dual-threshold-voltage (dual-VT), BiCMOS and DTMOS technologies. The circuit topologies include cascode-connected transistors in the output branch of a current mirror and as a cascode amplifier. Such configurations are capable of both high output impedance and high output swing. The cascode circuits of the various embodiments are operable without separate gate-bias voltages for the cascode-connected transistors. The current mirrors can be used in circuits requiring a regulated current or other current mirroring applications. The current mirrors can further be used as active loads, such as an active load for an amplifier.
机译:各个实施例在双阈值电压(双V T ),BiCMOS和DTMOS技术中利用共源共栅电路。电路拓扑包括在电流镜的输出分支中作为级联放大器的级联连接晶体管。这样的配置能够同时具有高输出阻抗和高输出摆幅。各个实施例的共源共栅电路可在没有用于共源共栅连接的晶体管的单独的栅极偏置电压的情况下进行操作。电流镜可用于需要调节电流或其他电流镜应用的电路中。电流镜还可以用作有源负载,例如放大器的有源负载。

著录项

  • 公开/公告号EP1264348A2

    专利类型

  • 公开/公告日2002-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号EP20010910634

  • 发明设计人 SINGH SURINDER P.;

    申请日2001-02-13

  • 分类号H01L27/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 23:54:38

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