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在低电压BICMOS工艺中实现高电压IO驱动器的电路和方法

摘要

本发明涉及在低电压BICMOS工艺中实现高电压IO驱动器的技术。提供一种能够在低电压BiCMOS工艺中高电压发送信号的IO电路。IO电路包括接收参考电压并生成电压导轨电源的电压导轨发生器电路。BJT(双极结型晶体管)缓冲电路耦合到电压导轨发生器电路和焊盘。BJT缓冲电路包括上拉电路和下拉电路。上拉电路接收电压导轨电源。下拉电路耦合到上拉电路。焊盘耦合到上拉电路和下拉电路。

著录项

  • 公开/公告号CN104518778B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;

    申请/专利号CN201410512541.2

  • 发明设计人 S·达斯古普塔;D·M·拉贾戈帕;

    申请日2014-09-29

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-09

    授权

    授权

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/0185 申请日:20140929

    实质审查的生效

  • 2016-10-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/0185 申请日:20140929

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

  • 2015-04-15

    公开

    公开

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