机译:使用半VDD预充电和行明智动态供电读端口的10T SRAM,具有低开关功率和超低RBL泄漏
Department of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea;
Department of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, South Korea;
Power dissipation; Transistors; SRAM cells; Rails; Leakage currents; Sensors;
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:利用共享的Diff-VDD写入和Dropd-VDD读取来启用列选择的10T SRAM,以降低功耗
机译:10T非预充电两端口SRAM降低了视频处理的读出功率
机译:10T非预充电两端口SRAM,可将视频处理功耗降低74%
机译:采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
机译:碲化锗相变存储器件中通过缺陷工程实现的超低功耗开关
机译:超低功耗,工艺容差10T(pT10T)sRam,具有改进的物联网(IoT)应用的读/写能力