机译:利用共享的Diff-VDD写入和Dropd-VDD读取来启用列选择的10T SRAM,以降低功耗
China Coast Guard Acad, Dept Elect Technol, Ningbo 315801, Zhejiang, Peoples R China;
Ningbo Univ, Fac Elect Engn & Comp Sci, Ningbo 315211, Zhejiang, Peoples R China;
Fudan Univ, State Key Lab ASIC & Syst, Shanghai 201203, Peoples R China;
10T SRAM; bit-interleaving; column selection; differential VDD (Diff-VDD); low-power SRAM; power reduction;
机译:具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
机译:超低功耗,过程耐受性10T(PT10T)SRAM,具有改进的物联网(IoT)应用读写能力
机译:新型低功耗10T SRAM单元在读写操作期间的特性分析
机译:一个40nm 256kb 6T SRAM,具有阈值电源门控,低摆幅全局读取位线以及具有Vtrip跟踪和负源极线辅助写入功能的电荷共享写入
机译:利用基于日常使用模式的位置数据和增强型建模,用于移动设备的电力预测和消耗量:低功耗Android应用
机译:关于丧失表达权的案件;惊厥发作后无法说话写作和正确阅读
机译:超低功耗,工艺容差10T(pT10T)sRam,具有改进的物联网(IoT)应用的读/写能力