公开/公告号CN111865283A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 亚德诺半导体国际无限责任公司;
申请/专利号CN202010330383.4
申请日2020-04-24
分类号H03K17/687(20060101);H03K17/689(20060101);H03K17/691(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人刘倜
地址 爱尔兰利默里克
入库时间 2023-06-19 08:42:38
机译: 具有低漏电流和低插入损耗的高功率射频开关
机译: 低泄漏电流和低插入损耗的高功率无线电频率开关
机译: 集成电子设备具有高功率(HP)级和低功率(LP)级,用于提供HP和LP电源电压电平以及HP和LP输出电流,从而HP和LP级在全功率和低功率模式下均处于活动状态