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具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关

摘要

提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中,RF开关包括多个晶体管,并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时,所有晶体管均配置为导通状态;当RF开关以低功率模式操作时,所有晶体管均配置为截止状态。

著录项

  • 公开/公告号CN111865283A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 亚德诺半导体国际无限责任公司;

    申请/专利号CN202010330383.4

  • 发明设计人 Y·阿特赛尔;A·塞利克;

    申请日2020-04-24

  • 分类号H03K17/687(20060101);H03K17/689(20060101);H03K17/691(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人刘倜

  • 地址 爱尔兰利默里克

  • 入库时间 2023-06-19 08:42:38

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