机译:安全的STT-MRAM位单元设计可抵抗差分功率分析攻击
KIT CDNC D-76131 Karlsruhe Germany;
Computer architecture; Resistance; Magnetic tunneling; Switches; Microprocessors; Standards; Integrated circuit modeling; Correlation power analysis (CPA); spin-transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM); side-channel resistance;
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