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对称STT-MRAM位单元设计

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摘要

本发明揭示一种对称自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元和STT-MRAM位单元阵列。所述STT-MRAM位单元包括多晶硅层、磁性隧道结(MTJ)存储元件和底部电极(BE)板。

著录项

  • 公开/公告号CN102119422A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN200980131285.X

  • 发明设计人 威廉·夏;

    申请日2009-08-24

  • 分类号G11C11/16;H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 02:51:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-11

    授权

    授权

  • 2011-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20090824

    实质审查的生效

  • 2011-07-06

    公开

    公开

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