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目录
1 绪 论
1.1 引言
1.2 磁随机存储器MRAM
1.2.1传统的MRAM
1.2.2 新型存储器STT-MRAM
1.3 磁畴壁研究进展
1.3.1畴壁运动
1.3.2电流驱动磁畴壁移动的研究
1.4 本文研究内容与结构
2 微磁模拟
2.1 微磁学理论
2.2 LLG(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程
2.3 Magoasis微磁模拟软件
2.4 本章小结
3 多通道自由层STT-MRAM存储单元结构的设计
3.1多通道自由层STT-MRAM存储单元结构模型
3.1.1 结构设计简图
3.1.2 多通道结构在Magoasis中的建模计算
3.2 多通道STT-MRAM单元结构磁化翻转特性的计算与分析
3.2.1 四种结构的TMR值对比分析
3.2.2 四种结构的磁化翻转效率对比分析
3.2.3 四种结构的临界电流密度对比分析
3.2.4 通道横截面积大小对结构性能的影响
3.2.4 上自由层厚度对结构性能的影响
3.3 本章小结
4 电流驱动磁畴壁移动的微磁学模拟
4.1 电流驱动磁畴壁移动单元结构设计
4.1.1 电流驱动磁畴壁移动模型
4.1.2 电流驱动磁畴壁移动模型在Magoasis中的构建
4.1.3 电流驱动磁畴壁移动模型计算和分析
4.1.4 电流驱动磁畴壁移动模型的优化
4.2 本章小结
5 总结与展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间发表论文或专利
华中科技大学;